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对CMOS工艺单片机IO电路的电离辐射效应进行了模拟计算.建立了NMOS寄生晶体管的物理模型,计算了晶体管阈值电压随总剂量的变化.通过改变晶体管的阈值电压,模拟了单片机IO电路的辐射响应,分析了典型结构电路参数的退化机制.模拟结果表明,电离辐射导致IO电路输出电平降低和功耗电流增加.
CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算
【摘 要】
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对CMOS工艺单片机IO电路的电离辐射效应进行了模拟计算.建立了NMOS寄生晶体管的物理模型,计算了晶体管阈值电压随总剂量的变化.通过改变晶体管的阈值电压,模拟了单片机IO电路
【机 构】
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西北核技术研究所,陕西西安710024
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
【发表日期】
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2014年期
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