GaSbGaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质

来源 :第十八届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:df781111
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  零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/GaAs量子点体系具有二型异质结构(type-Ⅱ),电子和空穴在不同空间非直接跃迁辐射复合,概述了其电学性质及光学性质。
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