【摘 要】
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.
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