【摘 要】
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采用微波等离子化学气相沉积法(MWPCVD)在钼衬底上制备了一种新颖的在碳管顶端生产石墨烯的复合结构。采用扫描电子显微镜(SEM)对该复合结构的形貌进行了表征,并研究了该
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院 成都610054
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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采用微波等离子化学气相沉积法(MWPCVD)在钼衬底上制备了一种新颖的在碳管顶端生产石墨烯的复合结构。采用扫描电子显微镜(SEM)对该复合结构的形貌进行了表征,并研究了该薄膜的场发射性能,获得了最大32mA的稳定发射电流,对应发射电流密度达1A/cm2,其表现出的优良场发射性能在场发射电子器件具有非常有前景的应用。
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