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该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用<90>Sr-<90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10<2>Gy。
非加固CMOS器件54HC04Sr-Y源辐射效应研究
【摘 要】
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该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用Sr-Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10Gy。
【机 构】
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西北核技术研究所六室(西安)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年12期
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