ZnO-Co单根纳米线与纳米复合薄膜中新颖的磁电传输

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongniba3493
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  利用Co 离子注入技术,实现单根ZnO 纳米线的磁性掺杂,并研究了单根Co:ZnO 纳米线的磁电传输[1]。采用脉冲激光沉积(PLD)和Co 离子注入技术制备出ZnO–Co 纳米复合薄膜,纳米复合薄膜由ZnO 薄膜和嵌于其中的金属Co 或富Co 纳米颗粒组成。
其他文献
提出了一种分布反馈式有机半导体微腔激光器的腔型,实现了多波长激光发射。该腔型以增益/非增益双层膜结构为基本重复单元,通过简单叠加可实现双、三波长激光发射。每个发射波长均可通过改变对应波导层厚度控制。
当电磁波与亚波长尺度的天线发生作用时,将引起天线的共振并再次辐射。由天线再辐射出的电磁波的相位、振幅、频率以及偏振态都可以利用天线的位置,形状,尺寸进行控制,从而为人们利用亚波长天线结构对电磁波进行调控提供了新的思路。
金属有机骨架材料(Metal-Organic Frameworks,MOFs)由金属离子(或其簇)与有机配体通过配位键构筑而成,是一类新兴的有机无机杂化固态材料。这类材料结构多样、数量庞大、具有高比表面/孔隙率、特殊孔结构及性质,常表现出独特的物理化学性能,在吸附、分离、催化等方面具有极大的潜在应用价值,近年来受到广泛关注。
当ZnO 纳米线受到应变时,会产生极性相反的压电势。一般来讲,正的压电势降低电极与纳米线界面处的肖特基势垒高度,负的压电势使肖特基势垒高度升高。这使外应力控制或调节ZnO 纳米线中载流子的传输行为成为可能。
我们对基于单根碳纳米管的互补型金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)的接触长度(Contact Length,Lc)缩减行为进行了实验探究,低功函数金属钪(Sc)和高功函数金属钯(Pd)分别用来形成与碳纳米管的n 型和p 型接触,并且设计的电极接触长度范围从30 nm 到140 nm.
近年来,北京和全国大部分地区连续发生的大规模的雾霾污染天气,解决大气环境污染问题是我国面临的一个非常严峻的挑战。随着汽车工业的发展和汽车社会的形成,汽车排放造成的污染是城市的主要环境问题之一。
相较其他过渡金属而言,铂片(Pt)由于其可重复利用的优点,成为化学气相沉积(CVD)生长高质量、均匀厚度的六方氮化硼(h-BN)薄膜的理想衬底之一1-3. Gao 等人利用常压化学气相沉积,以氨硼烷为前驱体,在Pt 表面分别制备出了晶畴尺寸约为2μm 的单层和双层h-BN 晶粒,提出了Pt 表面h-BN 的生长并非自限制的,且衬底对其表面的h-BN 晶粒的形状、晶向没有明显影响3.
锂离子电池的能量密度和寿命是由锂离子在电极材料之间的嵌入和脱出决定,而锂离子的嵌入/脱涉及到电极材料的电化学-力学以及相互耦合效应,因此研究电极材料的嵌入/脱出诱发的电化学-力学行为以及耦合机制,能够对电极材料的设计与结构优化与寿命预测提供基础数据与准则。
二维过渡金属硫化物由于它们优异的光电子特性和在可见近红外波段可调的光学带隙,使得其在光电探测器件和光伏器件上有很大的应用,近年来成为了研究的热点【1】。对于基于热电子的光电探测器件而言,利用二维材料集成金属纳米结构是一种非常有效的方案。
石墨烯具有很多独特的物理性质,它在电子、光子以及光伏器件等方面都有非常广泛的应用前景。对于绝大部分高端产品应用,大面积、高质量的连续石墨烯薄膜是实现产品性能的理想材料。在铜箔衬底上用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法简单、重复性好,被认为是最能实现石墨烯工业化生产的方法。