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本文应用同步辐射实时成像技术，配合高读写速度及高分辨率的CCD成像系统，观察了直流电对Sn-Bi合金枝晶生长的影响。结果表明：枝晶的生长速率发生了明显的变化。不施加直流电时，枝晶的最大生长速率可达到50μm/s；施加直流电，枝晶的最大生长速率明显减小。随着电流密度的增加，枝晶的最大生长速率略有提高，但其最大值仍小于不加电时得到的值。基于成像的实验结果，对不加电和加电条件下枝晶的生长速率进行了定量计算和分析。