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会议论文
HF溶液中Si(100)表面刻蚀过程的现场ATR-FTIR研究
HF溶液中Si(100)表面刻蚀过程的现场ATR-FTIR研究
来源 :第十一次全国电化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:DUOFIPAUT8E
【摘 要】
:
在含氟的溶液中化学刻蚀硅表面是各种清洗硅表面过程中最为重要的步骤,本文在稀HF溶液中通过控制电位的方法,应用ATR-FTIR光谱现场观察表面Si-H键的形成及氧化的过程.
【作 者】
:
姚建林
Institite of Materials Research and Engineering(IMRE)
王漪
刘峰名
任斌
叶建辉
【机 构】
:
厦门大学化学系材料系固体表面物理化学国家重点实验室(厦门) Institite of Materi
【出 处】
:
第十一次全国电化学会议
【发表日期】
:
2001年9期
【关键词】
:
硅表面
刻蚀
HF溶液
ATR-FTIR光谱
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在含氟的溶液中化学刻蚀硅表面是各种清洗硅表面过程中最为重要的步骤,本文在稀HF溶液中通过控制电位的方法,应用ATR-FTIR光谱现场观察表面Si-H键的形成及氧化的过程.
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