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随着4G 无线通讯基站的快速发展，频谱资源日益紧张，对滤波器的性能和研发周期提出了更严格的要求。介质腔体滤波器相比传统的金属腔体滤波器具有高Q 值、高稳定性、低损耗、小型化等优点，使介质谐振器在滤波器中的应用越来越广泛。
HFSS和ADS协同仿真六腔交叉介质滤波器
【摘 要】
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随着4G 无线通讯基站的快速发展，频谱资源日益紧张，对滤波器的性能和研发周期提出了更严格的要求。介质腔体滤波器相比传统的金属腔体滤波器具有高Q 值、高稳定性、低损耗、小型化等优点，使介质谐振器在滤波器中的应用越来越广泛。
【机 构】
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材料科学与工程学院,湖北大学,武汉,430062
【出 处】
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第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
本文采用固相合成法制备了Pr 掺杂(Ba0.99Ca0.01)(Ti0.98Zr0.02)O3(简称BCZT)的陶瓷,分别进行了A 位(BCZT-A),B 位(BCZT-B)掺杂以及外掺(BCZT-W),研究了不同方式掺杂对BCZT 无铅压电陶瓷结构、压电性能和发光特性的影响.
本文采用传统的固相反应法制备了Ba2Si2VO8 微波介质陶瓷，但在制备过程中获得了一种多相的复合陶瓷，此复合陶瓷的相对体密度、品质因数、相对介电常数、以及谐振频率温度系数呈现随温度升高而先升后降的变化趋势，此变化趋势可能与气孔率、晶粒大小以及各物相的相对含量等有关。
随着科学技术日新月异的发展，通信信息量的迅猛增加，作为现代通信技术中关键基础材料的微波介质陶瓷，要求相对介电常数εr 高以便于器件小型化，品质因数Q×f 值高以保证优良的选频特性，器件的谐振频率温度系数τf 尽可能小保证器件的热稳定性。
在众多铁电体中,CaBi4Ti4O15 作为典型的四层铋层状结构材料,具有居里温度(TC = 790 ℃)高,老化率低等优点,因而被大量研究。通过稀土离子取代CaBi4Ti4O15 中的A 位Ca/Bi 离子,能够诱导出优良的荧光性质,从而发展出具有良好的温度稳定性兼铁/压电及荧光性能的新型铋层材料。
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近几年,在诸多BiFeO3 基无铅压电陶瓷材料中,BiFeO3-BaTiO3 陶瓷被广泛研究。然而其电阻率较低,使得BiFeO3-BaTiO3 陶瓷的铁电性和压电性相对较弱。最近,当少量掺杂MnO2 后,BiFeO3-BaTiO3 的介电损耗和漏电流大幅度减小。
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Crystallographic orientation dependence of piezoelectric and dielectric properties of BNT-based nano
To attain a deep understanding of piezoelectric and dielectric properties dependence of crystallographic orientation,the rhombohedral 0.90(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.10(Bi0.5K0.5)TiO3(abbreviated as BNT-BKT)si
应用于储能电容器的传统铁电与反铁电材料由于一些不可避免的缺点,如储能效率低,含铅量高,与硅半导体工艺结合性能下降等,使得研究者转向寻找储能性能优异的线性介电材料[1,2]。