【摘 要】
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通过在ZnO种子层上沉积一层钝化层，这样水热法所制备的纳米杆只会生长于边缘，来得到边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列。该方法能够生长出密度可调的ZnO纳米杆阵列及准平行的ZnO纳
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院电子科技系,武汉 430072
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通过在ZnO种子层上沉积一层钝化层，这样水热法所制备的纳米杆只会生长于边缘，来得到边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列。该方法能够生长出密度可调的ZnO纳米杆阵列及准平行的ZnO纳米杆阵列。具有适当密度的ZnO纳米杆阵列可以用来制备性能优良的场发射电子源，而准平行的ZnO纳米杆阵列可以用来制备各种纳米器件，例如紫外探测器。水热法边缘选择性生长在纳米器件方面具有较大的应用前景。
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