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该文对制造GaNLED芯片的工艺路线进行了初步探索，报道了采用了Pt/Ni/Au半透明薄膜P电极和Ti/Al薄膜N电极制作GaN蓝光LED台面结构芯片的研究结果。N型掺杂GaN的Pt/N/iAu欧姆接触比电阻约为2×10Ω·cm<2>，et ICP对GaN进行干法刻蚀，GaN台面高度大于1微米，最后给出了GaNLED台面结构芯片的特性。