Si基GaN上的欧姆接触

来源 :全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yxjdyn
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研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min 取得最好的欧姆接触率7.5×10<-3>Ω.cm<2>,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛 退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10<-5>Ω.cm<2>,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性。
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