【摘 要】
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针对“SOI放大器型谱”项目设计中对高压SOI双极型器件交流模型参数的需要，探讨了一种利用商用BSIMPro参数提取程序进行SOI双极型器件交流模型参数的方法。通过对基于体硅的双极型器件G-P模型的修正，有效地提取了SOI双极型器件的电容参数和渡越时间参数；给出了SOI双极型器件交流模型参数的提取结果和提取的RMS误差。
【机 构】
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中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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针对“SOI放大器型谱”项目设计中对高压SOI双极型器件交流模型参数的需要，探讨了一种利用商用BSIMPro参数提取程序进行SOI双极型器件交流模型参数的方法。通过对基于体硅的双极型器件G-P模型的修正，有效地提取了SOI双极型器件的电容参数和渡越时间参数；给出了SOI双极型器件交流模型参数的提取结果和提取的RMS误差。
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