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高亮度/高功率发光二极体对於学术研究或业界研发量产都是热门的领域，其发光效率和亮度不断的提升与进步，目前已经超越传统的白炽灯泡或萤光灯。然而，在III-Nitride发光二极体，由於并无符合晶格常数的适合基板，目前大多以蓝宝石基板或碳化矽基板制作，由於晶格不匹配的问题造成发光二极体品质不够好，而会有大量插排或是缺陷存在，使得内部量子效率不够高，未来需积极提升磊晶品质是很重要的议题，本研究也提供一种利用倾斜旋转沉积技术成长具非均向氮化铝奈米柱状结构作为氮化镓系发光二极体缓冲层，预计可以提升光萃取效率，以降低光发生内部全反射的机会，提高外部量子效率。