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硅单晶中氮杂质对材料的性质有重要的影响。氮在硅中的性质、存在形态以及相关缺陷的作用机理一直为人们所研究。本文利用离子注入机以200kev的能量向直拉单晶硅片(CZ-Si)中注入不同剂量的氮离子，然后进行不同温度、不同气氛以及不同时长的快速热处理(RTP)。研究了样品中氧沉淀和电阻率随RTP的变化规律。研究表明，氮通过形成N-O复合体作为异质成核中心来促进氧沉淀，且这种复合体具有一定的稳定性；并随着RTP温度的升高，样品电阻率不断减小；随着注入剂量的增大，电阻率逐渐降变低。