论文部分内容阅读
本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件参数技术，建立了基于Materka大信号模型，利用ADS软件进行电路设计与优化。研制X波段GaN MMIC工作频率为7-11GHz，输出功率大于20W，增益大于15dB，效率大于30％。工作频率为7.4GHz时，输出功率最高，达到33.1W，漏极效率最高，达到40.1％。