【摘 要】
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宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注.同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料.本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变.XRD和拉曼结果表明：SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高.随着我国环境问题越来越严
【机 构】
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中国科学院金属研究所,沈阳材料国家(联合)实验室,功能薄膜与界面研究部 德国锡根大学,表面技术与材
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
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宽禁带半导体碳化硅(SiC)薄膜因其高热导率、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优异性质而受到广泛关注.同时,其稳定的化学性质和宽的电化学势窗也使SiC薄膜可以用作电化学电极材料.本文利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅基体上制备SiC薄膜,通过改变功率和工作气压,SiC薄膜由纳米晶向异质外延结构转变.XRD和拉曼结果表明：SiC薄膜的外延质量随功率增加而提高.随着我国环境问题越来越严重,水体污染特别是重金属离子污染也越来越受到人们的重视.
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Cr2AlC属于三元层状化合物MAX相,其兼具金属和陶瓷的综合性能,如金属的导热、导电、可加工性,陶瓷的抗氧化、耐腐蚀等性能,可以预见其作为高温防护涂层具有广阔的应用前景。本研究利用直流磁控溅射技术先在Ti-6Al-4V基体上低温沉积了不同Al含量Cr-Al-C涂层,再通过后续热处理的方法获得Cr2AlCMAX相涂层,分析了Al含量对热处理后涂层相结构的影响；并对Cr2AlC涂层的高温氧化行为进行
TiAlN和CrAlN涂层是目前被切削刀具普遍采用的耐磨涂层材料,而TiAlN/CrAlN多层涂层组合了TiAlN涂层的热稳定性和CrAlN涂层的高温抗氧化性能的优势受到了广泛关注.本研究采用阴极弧蒸发方法制备了Ti1-xAlxN/Cr0.30Al0.70N(x=0、0.48、0.57和0.66)纳米多层涂层,研究TiAlN层成分的变化对多层涂层界面结构、力学及热性能的影响.研究表明：TiN、Ti
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相变存储器是目前唯一利用材料的焦耳热效应来进行数据擦写的存储技术，相变材料的热导率将显著影响相变存储器的功耗、读写速度、邻近单元间的热串扰等。为了减少器件功耗，应尽量降低相变材料的热导率，以提高热量的利用率；但同时过低的热导率使得相变单元的绝热常数过高，不利于RESET后的快速冷却，影响了器件的工作速度，因此热导率的选取也要多方考虑，权衡其对各种性能的影响；此外，相变存储器的热串扰问题也需要通过优