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根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律，我们提出了解释直流应力下ＴＤＤＢ寿命差别的模型，并用自行研制的脉冲应力ＴＤＤＢ寿命测试系统，对样品在脉冲电压与直流电压下的ＴＤＤＢ寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅氧化层ＴＤＤＢ寿命增加，实验结果与模型预期的结果相符合。
脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性
【摘 要】
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根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律，我们提出了解释直流应力下ＴＤＤＢ寿命差别的模型，并用自行研制的脉冲应力ＴＤＤＢ寿命测试系统，对样品在脉冲电压与直流电压下的ＴＤＤＢ寿命进
【机 构】
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师范大学电子科学技术系
【出 处】
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第七届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1997年期
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