【摘 要】
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高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。本文采用HCl气体作为含C1化合物,研究了不同温度、气相C/Si摩尔比、刻蚀工艺等对于SiC外延层质量
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高质量快速SiC外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。本文采用HCl气体作为含C1化合物,研究了不同温度、气相C/Si摩尔比、刻蚀工艺等对于SiC外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了SiC单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面平滑,表面粗糙度仅0.218nm,晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。
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