【摘 要】
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近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功能薄膜的应用需求,相应的薄膜制备技术也取得进一步发展.本文将介绍面向TSV结构的深孔的薄膜沉积技术的发展,以及PVD、MOCVD、ALD等改进技术及特点,阐述薄膜制备技术在TSV高
【机 构】
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南京电子技术研究所,江苏南京210039
【出 处】
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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
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近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功能薄膜的应用需求,相应的薄膜制备技术也取得进一步发展.本文将介绍面向TSV结构的深孔的薄膜沉积技术的发展,以及PVD、MOCVD、ALD等改进技术及特点,阐述薄膜制备技术在TSV高深宽比的金属化的应用.
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