【摘 要】
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用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的SiGeC三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究激光退火条件对薄膜结构的影响.在激光能量密度1.0J/cm附近两个脉冲下退火,样品结晶质量较好,而且相当一部分C原子固定在替代位置,没有SiC沉积.随着C含量的增加,SiGeC薄膜的衍射峰逐渐靠近硅衬底衍射峰.说明C掺入SiGe
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究激光退火条件对薄膜结构的影响.在激光能量密度1.0J/cm<2>附近两个脉冲下退火,样品结晶质量较好,而且相当一部分C原子固定在替代位置,没有SiC沉积.随着C含量的增加,Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜的衍射峰逐渐靠近硅衬底衍射峰.说明C掺入Si<1-x-y>Ge<,x>合金中减少了硅上生长Si<,1-x>Ge<,x>薄膜的压应变.
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用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeVLi背散射技术确定了材料中的成分及其分布,用X-射线衍射测量了样品的结构相.原位电阻率测量表明,单晶硅上稀土硅化物的外延生长温度约为260℃,而SiO衬底非晶相-晶相的转变温度为400℃左右,说明稀土硅化物的固相外延生长温度显著低于自身的晶化温度
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