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采用等价掺杂技术，可以提高单晶硅的抗辐射加固性能。采用掺锗和预辐射技术，可以制备出加固多子ＣＯＭＳ器件用的抗中子加固单晶硅片，且取得较好的效果。
CMOS器件抗中子直拉硅单晶制备
【摘 要】
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采用等价掺杂技术，可以提高单晶硅的抗辐射加固性能。采用掺锗和预辐射技术，可以制备出加固多子ＣＯＭＳ器件用的抗中子加固单晶硅片，且取得较好的效果。
【机 构】
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电子材料研究所
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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