【摘 要】
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本文主要考虑了异质结界面处导带弯曲效应﹑流体静压力﹑外加电场以及电子在不同材料中的有效质量差异,运用变分方法研究了有限高势垒GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中心位置参杂的类氢杂质1s态到2p0态两个能级之间的光吸收效应,计算了光吸收系数随着量子点尺寸﹑Al组分﹑入射光强﹑压力﹑外加电场强度以及电子面密度的变化关系。
【机 构】
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内蒙古大学 物理科学与技术学院 内蒙古 呼和浩特 010021
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
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本文主要考虑了异质结界面处导带弯曲效应﹑流体静压力﹑外加电场以及电子在不同材料中的有效质量差异,运用变分方法研究了有限高势垒GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中心位置参杂的类氢杂质1s态到2p0态两个能级之间的光吸收效应,计算了光吸收系数随着量子点尺寸﹑Al组分﹑入射光强﹑压力﹑外加电场强度以及电子面密度的变化关系。
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