压力﹑外加电场和界面效应影响下GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点的光吸收系数

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wx0020
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  本文主要考虑了异质结界面处导带弯曲效应﹑流体静压力﹑外加电场以及电子在不同材料中的有效质量差异,运用变分方法研究了有限高势垒GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中心位置参杂的类氢杂质1s态到2p0态两个能级之间的光吸收效应,计算了光吸收系数随着量子点尺寸﹑Al组分﹑入射光强﹑压力﹑外加电场强度以及电子面密度的变化关系。
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