【摘 要】
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本文利用反应磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上沉积制备NiO1-δ 薄膜,研究氧分压对薄膜微结构以及电阻开关特性的影响.X 射线衍射谱和X 射线光电子能谱分析结果表明：反
【机 构】
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物理科学与技术学院,西南大学,重庆北碚,400715
【出 处】
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第十五届全国电介质、材料与应用学术会议
论文部分内容阅读
本文利用反应磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上沉积制备NiO1-δ 薄膜,研究氧分压对薄膜微结构以及电阻开关特性的影响.X 射线衍射谱和X 射线光电子能谱分析结果表明：反应溅射沉积制备的薄膜为多晶富氧Ni1-δO 薄膜,20％氧分压下沉积的薄膜沿(200)晶向择优取向生长(见图1).随着氧分压的增加,薄膜晶粒原胞从面心立方结构逐渐向面心正交结构发生畸变.相比其它氧分压,20％氧分压下沉积制备薄膜样品的电流-电压曲线呈现出最优的双极型电阻开关特性(见图2)：在0.9V 读取电压下,高/低电阻态的平均阻值比＞10,该比值可稳定维持超过1.5×103 个循环周期.指数定律拟合电流-电压实验曲线表明：薄膜低阻态漏电流为欧姆接触电导；而薄膜处于高阻态时,低电场下的漏电流以欧姆接触电导为主,高电场下则以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主.在周期性的外电场作用下,Ni1-δO 薄膜中富余氧离子在下电极附近表层区域的往复定向漂移使得薄膜中氧空位缺陷形成的导电细丝通道周期性地导通与截断,从而使得薄膜呈现出电阻开关特性.
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