Roll-to-roll高阻隔层薄膜的制备

来源 :第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:panfeng123456
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  我们开展新型等离子体源技术的研究,且利用此等离子体源进行等离子体辅助化学气相沉积氧化硅薄膜,实现roll-to-roll在PET,PE,PVC等有机薄膜表面沉积纳米厚度的阻隔层。在完成幅宽400mm的中试设备的等离子体参数测量、沉积纳米薄膜的工艺参数的选择、氧化硅薄膜的结构、相貌和性能的表征和测量,我们设计和加工幅宽1250mm,速度100 m/min的大型设备,希望在此设备运行中,发现和解决等离子体放电稳定性、沉积薄膜的均匀性、薄膜厚度和质量的在线检测和控制等和生产相关的关键技术问题,为进一步开展大幅宽纳米薄膜的制备积累数据。
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以封闭方腔自然对流这一经典传热问题为实际算例,通过对比分析温度分布、速度分布、努赛尔特数分布等数值模拟结果,研究了WCSPH和ISPH在求解传热问题时的精度、可靠性及计算效率等,总结了WCSPH和ISPH方法在模拟在传热问题方面的特点,结果表明在模拟计算诸如封闭方腔自然对流此类传热问题时WCSPH比ISPH更有优势。
石墨烯,由于其具有独特的结构和性能,在电子学、光学、锂离子电池、超级电容器、太阳能电池、催化剂等领域有广泛的应用前景。目前虽然有一些制备石墨烯的方法,但是,通过还原氧化石墨制备石墨烯被认为是大量生产石墨烯最有前景的一种方法[1,2]。还原氧化石墨现有的方法主要使用各种强还原剂,例如:水合肼、无水肼、硼酸氢钠等。
会议
等离子体水处理技术具有处理范围广、净化速率快、不产生二次污染等特点。为了实现在较低的放电电压下,生成大面积稳定的等离子体区域,从而有效的改善目前等离子体水处理技术中存在的放电电压高、处理效率低等问题。本研究设计了一种应用于水表面放电的电极结构,电极结构如图1所示。
在大气压射频氦氧放电中,在合适的放电参数下,不但可以产生稳定的大气压非平衡等离子体,而且由于氧气的加入还可以产生大量的活性成分,如臭氧、基态的氧原子、激发态的氧原子或分子等,这些活性成分在大气压等离子体的各种应用,特别是与生物医学相关的应用中起着重要的作用.
Direct alcohol fuel cells (DAFCs) are expected to be promising power sources ranging from automotive to portable electronic device applications due to their high power density and low environmental po
会议
改善Ti6Al4V/WC-Co摩擦副的摩擦磨损性能,有利于降低加工Ti6Al4V时的切削力,增加切削过程的稳定性,提高已加工表面的质量.氮冷等离子体射流中的活性离子在Ti6A;4V表面容易形成氮化物,可以在切削过程中实时的保护摩擦表面、降低摩擦系数.使用大气压裸电极冷等离子体射流发生装置和环块式磨损试验机,分别在空气、氮气射流和大气压裸电极氮冷等离子体射流氛围中,对Ti6A;4V/WC-Co摩擦副
会议
Fuel cells (FCs) are expected to be promising power sources ranging from automotive to portable electronic device applications due to their high power density and low environmental pollution.Compared
会议
金属钨具有高熔点、较高的导热系数、低蒸气压、高溅射阈值等性质,铜是优良的热沉材料.钨和铜的复合,既可以承受聚变堆内的高热环境,还可以把堆内热量迅速地传导出去,是理想的面向等离子体材料(PFM).然而,由于金属钨铜在线膨胀系数和热导率等方面差异巨大,使其结合强度较低.
A large-gap uniform discharge is ignited by a coaxial dielectric barrier discharge and burns between a needle anode and a plate cathode under a low sustaining voltage by feeding with flowing argon.The
随着薄膜太阳能电池的兴起,微晶硅薄膜由于其较稳定的效率引起人们的广泛关注,而降低成本和提高效率是微晶硅薄膜电池发展应用的主要方向。在本文中我们采用空心阴极代替传统的电容耦合平板电极放电,利用等离子体增强化学气相沉积技术,以二氯二氢硅(SiH2Cl2)为前驱反应气体、氢气(H2)为稀释气体,分别在玻璃衬底及柔性衬底(PI、PET)上制备氢化微晶硅(μ c-Si∶H)薄膜。