【摘 要】
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设计了基于渡越时间效应的,能够在低磁场条件下工作的S波段同轴扩展互作用腔振荡器.调制腔部分采用同轴非均匀三腔结构,使调制腔在低磁场条件下能够对电子束进行稳定调制,增
【机 构】
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电子科技大学,物理电子学院,微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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设计了基于渡越时间效应的,能够在低磁场条件下工作的S波段同轴扩展互作用腔振荡器.调制腔部分采用同轴非均匀三腔结构,使调制腔在低磁场条件下能够对电子束进行稳定调制,增大束流调制深度,束流经过同轴漂移管的群聚后采用扩展互作用提取腔进行微波提取,整腔能够在低磁场条件下达到较高的输出效率.利用2.5维粒子模拟程序,在束压500kV、束流8kA、引导磁场0.31T的条件下,输出微波功率1.13GW,微波频率2.44GHz,电子效率为28.2％,为该类型器件的低磁场化设计奠定了基础.
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