【摘 要】
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本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由SiN介质的缺陷引起,通过不同斜波电压确定加速因子预计了10V电压的电容寿命,基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估GaAs MMIC的SiN介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对SiN介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室(广州)
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本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由Si<,3>N<,4>介质的缺陷引起,通过不同斜波电压确定加速因子预计了10V电压的电容寿命,基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估GaAs MMIC的Si<,3>N<,4>介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si<,3>N<,4>介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.
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