【摘 要】
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为满足10Gbit/s光纤通信系统光电器件的封装要求,本文给出了三种不同硅衬底上微波共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)的设计和制备,包括普通的低阻硅(Low Resitivity Silicon,
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院; 新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院;
【基金项目】
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北京工业大学青年科研基金;北京工业大学博士启动经费(52002013200701);国家自然科学基金项目(60776051);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015)
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为满足10Gbit/s光纤通信系统光电器件的封装要求,本文给出了三种不同硅衬底上微波共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)的设计和制备,包括普通的低阻硅(Low Resitivity Silicon,LRS),带有3um厚二氧化硅介质层的低阻硅和高阻硅(HRS)衬底。通过设计共面波导的纵向和横向结构参数,使其具有50U的特性阻抗.模拟和实验结果表明,制备于低阻硅上的共面波导因很高的损耗不适合用于高频微波信号的传输;在低阻硅衬底和共面波导传输线间加入氧化介质层能有效地降低损耗,但要求氧化介质层足够厚:直接制备于高阻硅衬底上的共面波导,在设计的波导尺寸条件下,在26GHz的范围内损耗保持在2dB/cm,可满足10Gbit/s光通信系统对信号传输的要求。
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