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SOI材料的发展动态
SOI材料的发展动态
来源 :华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daimao
【摘 要】
:
由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料.本文主要简要地介绍了SOI材料的主要性能特点以及国内
【作 者】
:
张书玉
张维连
索开南
张生才
姚素英
【机 构】
:
河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130
【出 处】
:
华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
信息材料
技术
主要方法
性能特点
闩锁效应
寄生电容
材料制备
自隔离
抗辐射
漏电
国内
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由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料.本文主要简要地介绍了SOI材料的主要性能特点以及国内外SOI材料制备的几种主要方法.并指出Smart-cutSOI技术集SIMOX技术和BESOI技术的优点于一体.
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