本研究以旋转涂布技术制备Si/Ti02/MAPbI3/graphene异质结构，所量得的PL光谱中370 nm的峰值所对应的是电子在Ti02直接能隙与间接能隙之间的跃迁；而766 nm的峰值则是对应于电子在具有直接能隙之MAPW3相近的能带间复合所发出的光。另外，在输入10 mA电流下所量得的EL光谱大约在800 nm的位置有峰值存在。探讨Si/Ti02/MAPbI3/graphene异质结构所表现出的光电特性不佳，推测有两个可能原因:1)因为涂布石墨烯层的过程中，石墨烯分散液中的溶剂会将下层的MAPbI3溶解，使得石墨烯的覆盖情形不慎理想，且钙钛矿层本身的结构也会受到破坏而产生缺陷。2)本实验蚀刻矽基板所使用的蚀刻方法会使得表面蚀刻深度并不均匀，使的出光与电阻率的表现没有很好。因此，未来要使此异质结构发光二极体之光电特性提升的话，可考虑在不影响钙钛矿层结构完整性的情况下，更换石墨烯层的制备方式使其能够均匀地覆盖在钙钛矿层上，亦或是将石墨烯这层电流扩散层更换为其他材料如：PCBM或ITO。另外也可考虑利用电化学等方法。