g-C3N4(001)/BiVO4(010)界面复合体系第一性原理研究

来源 :中国化学会第30届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qmhnfi77206
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  采用第一性原理计算方法,我们研究了g-C3N4(001)/BiVO4(010)纳米复合体系的结构、电子结构、光学性质.我们发现g-C3N4(001)能够稳定地吸附在BiVO4(010)表面上,且形成波浪形起伏形状.由于价带顶N2p电子态的引入,计算得到的g-C3N4(001)/BiVO4(010)的带隙比BiVO4 或BiVO4(010)小.g-C3N4(001)/BiVO4(010)复合体系的光生电子从BiVO4(010)的导带注入到g-C3N4(001)的导带,界面处独特的电荷分布有助于光生载流子的分离.
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