【摘 要】
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本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,对生长的薄膜在空气中进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性进行x
【机 构】
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西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,对生长的薄膜在空气中进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性进行x射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在369nm、375nm和383nm附近3个明显的近紫外发光峰.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.
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