【摘 要】
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采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子瓶颈效应,不同于通常情形,量子点激发态光荧光强度随温度升高而下降更显著.通过优化生长条件,制备了在室温时量子点基态光荧光波长接近1.3μm的五层量子点为垂直腔面发射激光器的有源区.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子瓶颈效应,不同于通常情形,量子点激发态光荧光强度随温度升高而下降更显著.通过优化生长条件,制备了在室温时量子点基态光荧光波长接近1.3μm的五层量子点为垂直腔面发射激光器的有源区.
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