【摘 要】
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针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
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针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性的影响,并通过π等效电路结构计入了互连线寄生电容的分布特性。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8％以内。该模型可望与SPICE仿真软件结合,优化射频集成电路设计.
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