失化学计量比的氧化钼(MoOx)作为空穴选择性引出层已应用于晶硅异质结太阳能电池,由于氧空位缺陷态的密度较低,晶硅电池的光伏性能受限于MoOx引出层中空穴的传输能力[1-5]。本工作通过硫掺杂MoOx(MoO3-xSx)作为空穴选择性接触层提升了晶硅异质结太阳能电池的光伏性能。研究结果表明,通过MoO3-xSx中S的引入形成S-Mo-S缺陷带并调整Mo5+和Mo4+缺陷态, 降低了串联电阻使电池光伏性能得到显著提升。进一步通过测量薄膜的光吸收和C-V特性分析揭示,S的掺入导致MoO3-xSx薄膜能带结构的有序性先增加后减小,而界面缺陷态密度也呈先减小后增加趋势。在合适的S掺入时,所制备的电池具有较高的短路电流和FF因子,采用MoOx钝化的MoO3-xSx/Si电池结构可使电池性能进一步提升,在无光管理和电极优化的情况下,制备的器件的光电转化效率超过16％。结果 显示,通过S掺杂提升MoOx薄膜的空穴传输能力是改善MoOx/Si异质结电池的性能的有效技术。