金属氧合物CO2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用研究

来源 :中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gaolei000

【摘要】

：

本文研究了金属氧化物CO2O3压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响.分析了CO2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善以及所产生缺陷类型.实验结果表明:随着CO2O3含量在0.6mol﹪-0.2mol﹪范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性.为获得产品优良的重复性和稳定

【作者】

：

韩伟王建文孟梅

【机构】

：

西安市西无二电子信息集团有限公司,陕西,西安,710015

【出处】

：

中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

氧化钴氧化锌压敏陶瓷晶粒生长电学性能

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