基于量子点激子慢光特性研究

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aqgcsw1
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随着光通信速度的迅速发展,光通信速度的进一步提升遇到了电子瓶颈的限制.全光通信可以克服这一障碍.而这其中,全光缓存是需要迫切解决的问题.慢光的出现为解决这一问题提出了可能途径[1,2].
其他文献
以CdSe为代表的半导体纳米晶体(胶体量子点)有着优异的光学性质.和染料分子相比它们更加稳定,其尺寸和发光峰位置可以通过控制合成过程实现精确控制,有着较宽的吸收谱,CdSe/ZnS等核壳型量子点的量子效率可以高达80%.
会议
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的漏电流对器件的稳定性有不利影响.过去的研究主要集中在反向情况,而正向漏电流的输运过程研究较少.
会议
硅基纳米结构,包括硅纳米晶、纳米线或纳米柱,在高转换效率的太阳能电池、LED及激光光学领域方面受到了广泛的关注和研究[1,2].本文我们将主要讨论硅纳米柱阵列上的硅纳米晶薄膜这一复合结构的光学性质.
会议
Sn is an interesting alternative silicon nanowires (SiNWs) catalyst because the Si-Sn alloy has a low eutectic temperature (232 ℃).
会议
硅纳米线由于其独特的性质和在生物、化学传感器、光电器件以及光伏器件等方面潜在的应用价值吸引了人们的广泛研究兴趣.金属辅助化学刻蚀方法制备硅纳米线具有简单、低成本,以及对纳米线结构与电学性质极好的控制能力等特点,近年来得到了广泛的关注.
会议
Resistive switching (RS) behaviors have attracted great interest due to their promising potential for the data storage.In the paper, the resistive switching effects in Al/HfOx/ITO (MIM) structure were
会议
对于Si MOSFET,传统的器件微细化已经接近物理极限,因此必须利用具有更高迁移率的沟道材料进一步提升MOSFET的性能[1].Ge由于同时具有很高的电子和孔穴迁移率,并且和Si器件工艺具有较好的相容性,近年来受到了广泛关注[2].
会议
半导体电阻型气体传感器,由于其成本低廉、制作简单、使用方便及兼容性好等优点,在均多领域有着广泛的应用.发展用于高端领域的高性能气敏器件,一直是人们所追求的目标与面临的挑战.
会议
Si/Si1-xGex量子阱(QW) pMOSFET具有较高的空穴迁移率以及同传统Si工艺的可兼容性,得到越来越多的重视与研究.在QW pMOSFET器件中,除了传统的散射机制(如库伦散射、声子散射、表面粗糙度散射)外,Si1-xGex合金带来的合金散射也将影响载流子的迁移率[1~2].
会议
应力技术作为可以有效提高MOSFET性能的方法,自90nm技术节点之后便得到了广泛的应用[1].应力在改善器件的工作特性的同时,会对器件的工作的稳定性产生影响[2].
会议