【摘 要】
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本文以吡咯并吡咯二酮并二噻唑的D-A共聚物为半导体材料,通过溶液剪切法制备有序薄膜,获得主链方向10 cm2/V·s的高迁移率。我们将聚苯乙烯掺入溶液,通过溶剂蒸汽退火相分离阻碍电荷在π-π堆积方向传输,进一步证明薄膜中电荷传输的各向异性。高度有序薄膜促进电荷沿主链方向传输,因此提高场效应晶体管性能。
【机 构】
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东北师范大学,吉林省长春市人民大街5268号,130024 中国科学院化学研究所,北京中关村北一街
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本文以吡咯并吡咯二酮并二噻唑的D-A共聚物为半导体材料,通过溶液剪切法制备有序薄膜,获得主链方向10 cm2/V·s的高迁移率。我们将聚苯乙烯掺入溶液,通过溶剂蒸汽退火相分离阻碍电荷在π-π堆积方向传输,进一步证明薄膜中电荷传输的各向异性。高度有序薄膜促进电荷沿主链方向传输,因此提高场效应晶体管性能。
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