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GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代半导体材料上的欧姆接触被广泛研究.本文探讨采用Ti/Al/Ti/Au合金体系在不同条件下在AlGaN上实现的欧姆接触,并对试验结果做了分析.
AlGaN/GaN 器件的欧姆接触
【摘 要】
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GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代半导体材料上的欧姆接触被广泛研究.本文探讨采用Ti/Al/Ti/Au合金体系在不同条件下在AlGaN上实现的欧姆接触,并对试验结果做了分析.
【机 构】
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中国科学院微电子中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年2期
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