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当前,AlGaN基紫外LED正成为世界各大公司(飞利浦、韩国LG等)和研究机构新的研究焦点之一.国内目前关于紫外LED的研究工作属于起步发展阶段,仍存在紫外发光功率低、可靠性差、寿命较低等许多问题亟需解决.本文中，主要通过MOCVD技术，研究和优化高Al组分AlGaN薄膜生长参数、掺杂工艺、量子阱结构设计与生长，获得了紫外LED外延结构材料，制备出了紫外LED倒装结构芯片，并且开展了基于紫外UVLED低热阻器件封装结构的设计及倒装焊封装技术的研发工作，为后续研制出实现面向紫外固化应用领域的高密UVLED器件奠定了坚实基础。