多孔Ti/BDD电极的制备条件探索

来源 :第六届全国环境化学学术大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chang_baoping
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众所周知,高质量的掺硼金刚石(BDD) 薄膜具有较宽的电化学窗口,较低的背景电流以及较强的抗腐蚀性,这使得它在电分析、电解氧化等方面都有着广泛的应用。 BDD薄膜一般被沉积在平板Si,Ta,Nb,W, Ti和其他金属或半导体基体上[1],这些BDD 电极已经被广泛研究和应用。但是如果我们可以制备出多孔BDD电极,那么将可能制备具有高比表面积的多孔BDD电极,提高电流效率。
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