【摘 要】
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当前,高性能有机电化学晶体管(OECT)的沟道材料主要以聚噻吩体系为主。给受体(D-A)共轭聚合物由于自身内秉的高迁移率和低结晶度(有利于离子扩散),被认为是一类非常有前景的OECT 沟道材料。然而就器件性能来讲,D-A 共轭聚合物为沟道活性层的研究进展远远落后于聚噻吩体系。
【出 处】
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第三届有机光电材料与器件发展研讨会
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当前,高性能有机电化学晶体管(OECT)的沟道材料主要以聚噻吩体系为主。给受体(D-A)共轭聚合物由于自身内秉的高迁移率和低结晶度(有利于离子扩散),被认为是一类非常有前景的OECT 沟道材料。然而就器件性能来讲,D-A 共轭聚合物为沟道活性层的研究进展远远落后于聚噻吩体系。
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