【摘 要】
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研究了纯Fe膜在200～600℃硫化10h及500℃硫化1-10h条件下形成FeS薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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研究了纯Fe膜在200～600℃硫化10h及500℃硫化1-10h条件下形成FeS<,2>薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上硫化时,薄膜才会出现明显的禁带宽度,并随硫化温度升高,禁带宽度下降.硫化时间对薄膜禁带宽度影响不明显.随硫化温度升高及硫化时间延长,薄膜电阻率上升.由于硫化参数的变化能够引起薄膜相结构、晶体缺陷及薄膜完整性的变化,因此可以导致薄膜光电性能的变化.
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