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本文以河南某地的钠基蒙脱土为原料,用模板剂前驱法合成了一类新型的Si层柱蒙脱土多孔材料(Si-PILC).通过XRD、N2吸附脱咐分析、骨架振动红外光谱等测试手段研究了它们结构和织构的变化,结果表明,硅成功插入蒙脱土层间,使其晶面间距增大至3.2nm;经过600℃焙烧后BET比表面积值高达772.0m2/g;孔径分布集中在3.3-4.3nm之间的孔道,孔径较为集中;经800℃高温焙烧后Si层柱蒙脱土材料的结构稳定,比表面积保留了77％.