【摘 要】
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采用CZ法拉制晶向为Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程.对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响
【机 构】
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北京有色金属研究总院,国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088
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采用CZ法拉制晶向为<100>Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程.对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响的几个因素设计实验方案.结果发现:随着研磨砂粒度减小,研磨时间延长,样品表面分布逐渐均匀且腐蚀后位错容易辨认;表面的平整度随着抛光时间的延长而提高,但是进一步延长时间,平整度下降,并开始粗糙;在化学腐蚀液中,腐蚀时间的长短对于位错形态以及位错密度有着重要的影响,随着时间延长,位错形态逐渐显示清楚,腐蚀过程继续进行,位错形态开始模糊到最后消失,同时,观察到位错密度也逐步下降.根据上述实验制定合理的化学腐蚀工艺,为改进单晶研制工艺提供可靠的依据.
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