【摘 要】
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本文提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学汽相沉积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层.通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响.
【机 构】
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微电子学研究所,清华大学(中国北京)
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本文提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学汽相沉积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层.通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响.
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