空气中烧成大SrTiO[*v3*]边界层电容器的研究

空气中烧成大SrTiO[v3]边界层电容器的研究

来源 :中国电子学会电子元件学会无机介质材料专业组第二次技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chibi2

【摘要】

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研究了施主掺杂量，烧成后的冷却条件、氧化温度对SiTiO[*v3*]半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性能的边界层电容器的两个关键因素。实验结果

【作者】

：

钟吉品王鸿

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

中国电子学会电子元件学会无机介质材料专业组第二次技术交流会

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

空气中烧成边界层电容器氧化温度添加量受主杂质室温施主冷却条件关键因素高温烧结复扩散电阻率掺杂量半导化样品性能实验绝缘果指

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研究了施主掺杂量，烧成后的冷却条件、氧化温度对SiTiO[*v3*]半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性能的边界层电容器的两个关键因素。实验结果指出，0.5mol的Nb[*v2*]O[*v3*]添加量为最佳值。急冷至室温可防止边界氧化。用空气烧成并急冷至室温的样品，涂复扩散受主杂质，能获得εeff为30000，绝缘电阻率大于10″Ω·cm的边界层电容器。（本刊录）

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