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蓝光雷射二极体具有之优异特性，使其在军事与民生用途上肝极大的潜能，因此各工业先进国家近年来多已积极投入此一研究领域。利用二次离子质谱分析由分子束磊晶法制备ＺｎＳｅ为主之Ⅱ－Ⅵ族蓝光雷射二极体多重薄膜结构，由二次离子质谱仪分析结果与帛年相互比对，以帮助改进元件之磊晶品质，作为建立制程技术之参考。
分子束磊晶成长之ZnSeⅡ-Ⅵ族雷射二极体元件之二次离子质谱分析研究
【摘 要】
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蓝光雷射二极体具有之优异特性，使其在军事与民生用途上肝极大的潜能，因此各工业先进国家近年来多已积极投入此一研究领域。利用二次离子质谱分析由分子束磊晶法制备ＺｎＳｅ为主之Ⅱ－Ⅵ
【机 构】
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大学化学系(台湾新竹)
【出 处】
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1998二次离子质谱学国际研讨会暨第二届全国二次离子质谱学会议
【发表日期】
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1998年期
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