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该文介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），详细阐述了该方法的生长机理和生长过程：分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素（生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等）：总结了该方法晶体生长的优点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善晶体生长的措施：通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了目前国内外报导直径最大、大单晶面积、径向组份均匀、光电性能良好、厚的晶片透过率的碲镉汞晶体。