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石墨烯具有非常高的载流子迁移率、良好的导热性和高强度特征,被国际半导体发展蓝图预言为是替代单晶硅作为纳电子器件应用的主体半导体材料.SiC高温热解是最有可能实现大面积生长石墨烯的方法之一.
SiC高温热解制备石墨烯及其热/电性能的应变效应
【摘 要】
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石墨烯具有非常高的载流子迁移率、良好的导热性和高强度特征,被国际半导体发展蓝图预言为是替代单晶硅作为纳电子器件应用的主体半导体材料.SiC高温热解是最有可能实现大面积生长石墨烯的方法之一.
【机 构】
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西安交通大学材料学院
【出 处】
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2014中国功能材料科技与产业高层论坛
【发表日期】
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2014年2期
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